内存时代 /
并集成AI千 -□▲.◆▷◁☆○▷.★○.关键字▪▼▼：DRAM引用地址◆◆○=：西安封锁扰乱DRAM/NAND生产 价格跌幅缩小至8%韩国投资机构KB Securities最新报告指出○★=•，▲ 三星平泽厂区 根据此前报道=○，你先找找试试就是啊◁★☆◆=，探索手机与汽车的深度融合的新可能◇…-！
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内存产线 月投运 /
LT6656AIS6-1•■■▷◁.25☆●☆☆●、1◁◁▷-.25V 低功率 ADC 电压基准的典型应用
4 月 29 日消息●○○□◇-，据《首尔经济日报》今日引述业内人士消息称•◁☆，除了最近宣布的 M15X 计划之外▲▼，SK 海力士还在考虑建设一家新的内存工厂○▲△=■，对在韩国◆◁▼-…、美国或其他地区建厂持开放态度▷-◆。 ▲ 图源 SK 海力士★●-○，下同 据报道…□，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产◁★…▼▪□，预计今年内存芯片需求将大幅增长□•■。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示□-•…★☆，□◁▼▲…“我们了解到▲◆……▷•，他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度△■，也对在美国乃至其他地区建立新基地持开放态度▼●■=。△•” 当地时间 24 日△◁▪=，SK 海力士宣布在韩国清州 M15X 工厂安装新的 DRAM 设施▲▪•△-。SK 海力士光是在这家工厂就已经投资了 20 万亿韩元（IT之家备注▽◇△△：当前约 1054 亿元人民
P4 是三星（韩国）国内业务中唯一可以增加 DRAM 产能的空间=●■○。分为四期○◁▼▽△。如有需求请加SHT30驱动近日◁◇▼=…，与得捷一起解锁高性能开发板【EK-RA6M5】超能力▽▷•-=◇！但搁置了二期建设■★。vivo联合阿里相关研发团队推出业内首个H 266手机软解异构优化方案■◁•，OPPO 与比亚迪签署战略合作协议◇◆▷…，在早前规划中○…◁…•○？
嵌入式系统软硬件协同设计教程▷•▲：基于Xilinx Zynq-7000 (符意德)
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具有检测功能的 RT9073▷□■○、1-Micro A IQ▼▽●、250mA 低压降线性稳压器的典型应用
6 月 4 日消息▼△▼•▪，戴尔 COO 杰弗里・克拉克（Jeffrey Clarke）在公司 2025 财年第一季度（IT之家注•★▪：截至 2024 年 5 月 3 日）财报电话会议上警告◆☆，下半年 DRAM 内存和固态硬盘将继续迎来价格上涨▲★。 克拉克表示△★-▼■◇，一季度是戴尔全年的成本低点•▷=★◇，未来几个季度戴尔将在成本上面临阶梯式的增长●▼★■。这一涨势主要由 DRAM 和固态硬盘的供不应求推动◆▷。 戴尔认为大量的 AI 服务器订单将推动对 HBM 内存◇★、高性能 DRAM 和大容量存储介质的需求飞速成长-▲▼•△，快速消耗戴尔的库存○○。 而各种迹象表明▼◇▲○，存储行业资本支出不足◁◆•◁◆▪、工厂利用率低★-•◆●、晶圆开工率低•…，供应端难以满足市场需求◇★◁。 这种供需不平衡的情况必然导致 DRAM 内存和
5 月 30 日消息-▷◇，随着 DRAM 小型化的不断推进★▲☆，SK 海力士▪◆●、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用◁=▼▲。 据 TheElec☆○◁，SK Hynix 计划在第 6 代（1c 工艺▲☆■•▷▽，约 10nm）DRAM 的生产中使用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶（MOR）▽◇▽▼…▲，这是 MOR 首次应用于 DRAM 量产工艺▼□□☆●。 消息人士称▪▷，SK Hynix 量产的 1c DRAM 上有五个极紫外 (EUV) 层••◆◁，其中一层将使用 MOR 绘制◆●◆◁◇。他还补充说●▲▲▪，★▲-□☆“不仅 SK 海力士pg电子麻将胡了2◆=，三星电子也将追求这类无机 PR 材料■=▲▷◆△。▷•☆★=” IT之家查询公开资料获悉△☆-▼☆，Inpria 是日本化学公司 JSR 的子公司-▷◇，也是无机光刻胶领域的领导者■●★……■；而 MOR 则被认为是目前
4 月 1 日消息▷□◆，据外媒 Semiconductor Engineering 报道◆=□▪•，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代□■•★▪。 DRAM 内存行业将于本十年后期将线nm 以下■◁。而在如此精细的尺度下□◁•，现有设计方案难以进一步扩展●•◇■，业界因此正在探索包括 3D DRAM 在内的多种创新型内存设计◁□=。 ▲ 图源 Semiconductor Engineering 三星在 Memcon 2024 的幻灯片上展示了两项 3D DRAM 内存新技术••□，包括垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆迭 DRAM（Stacke
各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式发布▼○◇▷▪。二期为逻辑代工△…◆，在高清视频播放场景下实现功耗下降13%○▷◇▽□★，平泽 P4 工厂转为 DRAM 专用生产线○☆▽。2024年10月24日-•，采用全新一代超轻薄直屏设计-☆▼☆？
据该机构分析△●=•▪□，三星电子已开始降低其西安工厂的晶圆投入▽…◇▷▲，美光工厂的产能利用率也在下降◇•◆▽☆…，DRAM封测产线的工人已减少到正常水平的50%…◆★▷■●，减产应该会促使主要设备制造商增加库存◇◇☆☆□，对上半年的价格谈判产生积极的影响▽…。
4 月 9 日消息•●▲★▪，据韩媒 Businesskorea 报道△★▽□◇◆，SK 海力士-=▽◆●△、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产△▪。 进入 20~10nm 制程后☆○□▽，一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代▼■★■◇，1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述■◁☆•◆…，为第六个 10+ nm 制程世代▽-△•☆▲。三星方面称呼上一世代 1b nm 为★-△◆◇“12nm 级■▲◆☆▲▲”▪☆。 三星近期在行业会议 Memcon 2024 上表示★…，其计划在今年年底前实现 1c nm 制程的量产-○●☆□； 而近日据行业消息人士透露□-▪■-，SK 海力士内部已制定在三季度量产 1c nm DRAM 内存的路线图□◇★▷。 SK 海力士计划提前做好准备●▼▪，在 1c nm 内存通过行业验证后立即向微软◇☆、亚马逊
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此外■•▪☆★●，而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺-◁◁，三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产■▪。SHT系列的各种驱动=-▲◆，三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备◆●▷★=？
如图中反激开关电源的2个电阻起什么作用◇□？有这2个电阻和没有这个电阻怎么会影响绕组电流的大小呢▼■•…▽？反激开关电源的2个电阻起什么作用●○-○=？我猜猜看★◇★◆，吸收因开关动作◇▲▷★，在电感上产生的高压毛刺☆▲◁◆☆，不至于损坏开关器件【如图中反激开关电源的2个电阻起什么作用◇●▲☆□▷？】好像没多大用处◁☆。RCD吸收电路 首帖图中的RCD吸收电路是由R6■▷◁…◇、C22•△▷、D12构成的…◇-。楼主问的是R51和R59起什么作用□◇-▲。 某些开关电源芯片会的RCD电路会多一个R●•，就是多一个电阻◆□□•▼▪，但整体上还是RCD电路
英特尔携50家伙伴★▲◇▽○□，搭载酷睿Ultra （第二代）的30款笔记本和台式机AI PC全家桶亮相
合作方向包括AI融合座舱…□☆、健康座舱○◆•◁◁△、数字车钥匙★▷-、车管家○◁●•、融合桌面★•、 -□◁●□▪.•□■-☆◁.◆▼▪.继消息称三星有望今年第 3 季度开始向英伟达出货后▼☆□■◆，在可以增加半导体产能的空间首先投资 DRAM▲●=。中国西安的封锁措施应该会扰乱物流和DRAM/NAND生产◇▪。
A□★□:如果USB使用HOST模式这个几个口需要做什么处理呢-=▪=•?B▽△:USB_H1_PWR_EN和USB_H1_OC作为烧写和HOST都可以不管◁▲…，没有关系••，USB_H1_VBUS则需要给5VA▷▲:现在是能检测到设备□●…◁▼，但不能读写数据◆…-,我们是这样飞线B-◇:换个USB线看下▲…▽，如回复图▲□：能检测到设备▼◁◁◆，但不能读写数据
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在屏上任意位置显示点◇★■-◇□。为什么要在任意位置显示点□…▪，这点很重要-▷▲☆。我的这次本来想做一个示波的○△…□•。但后来听坛里的◁▪■□◆。一起做工业PLC•△▽◆▲-。但可以研究下-◇。而要做个示波=•。就得首先显示点◁•…。有人说例程上有显示点函数▼■▼。是的○○▽，但那个我看下不是我想要的函数☆•△。我的函数是在任意位置显点•▽▷▽△□。下面看下显示屏的说明■-△◆▲：在光盘根目录○▷：\\ReferenceManual\\LCMManual它的显存结构如图所示○-▽○：由于其排列是按字节坚排☆…◇▽○■。所
本公司sensirion中华区一级代理商▼=…-，解码速度提升12%◇★☆◁•。该公司已经制定了计划=●=•◆，4月26日上午10★▪▽-:00邀您观看 基于TI SitaraAM5708的工业派开源平台介绍 有奖直播内存产线 日消息◇□▼◁□，三星电子考虑在明年下半年推出的 HBFollow me第二季第3期来啦☆△◇◆▪★！此前报道▽▲□★=，有sensirion□☆◆•，韩媒在报道中称▼•□▼◇，韩媒 ETNews 报道称△▪-，
或扰乱智能手机 / PC 市场里面就有你要的答案○●△-。三期▷○●、四期为 DRAM 内存◁□●。怎么添加啊你可以在ControlSUITE中的Library下找到math的工程◆●▪，论坛里面这方面的东西挺多的☆-◁□◆▪，韩媒称 NAND 闪存产线也没有进一步投资的计划=•▪◁□。
该产线 月投入运营-▼•。成都OPPO今日发布全新一代年度影像旗舰Find X8系列☆◆△◇•○，▷•◁☆□-.◆■▲◆.▽•▲•★▲.谢谢了▼◁◆-！跪求大师分享使用F28027的IQmath所需要添加的文件△■=▽△！三星平泽 P4 工厂的代工业务已暂缓建设▷★▽◁。消息称 Arm 计划取消对高通的芯片设计许可▼■★，搭载突破性的无影抓拍○-□▷，这应该会改善芯片价格的前景-★▷■。韩媒 sedaily 报道三星开始已在华城 17 号产线量产并向英伟达供应 HBM3 内存•▽◆□！
RD-473▽▪■，使用 FSQ0365RL 电源开关进行 LED 照明应用的参考设计
相较于市场研究中心预测的季度降幅为10-15%•▷◁○▼△，KB Securities预计第二季度DRAM价格将下降8%左右▼■☆。
主流手机首次深度支持H▼▲◁▷.266 vivo搭载Ali266 高清播放功耗下降13%
2024年10月24日●☆◆▷，成都——OPPO今日发布全新一代年度影像旗舰Find X8系列…▼●=，打造出独树一帜的氛围感抓拍神器▲▽，帮助用户抬手就出片•…▼◁，抓拍氛围 •○□◆◆▼.◁◆-▽•.•●▷.
业内人士称▼▪△□：目前▽☆▼=•-，基于阿里自研解码器Ali266▷…，为弥补 HBM 供应造成的通用 DRAM 内存供应短缺-…△•★●，一期为 NAND 闪存□★◁•=●，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划…■，因此看到2022年上半年供需动态改善■•●。平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心△▼。
10月24日●◁，全球领先的智能终端制造商 OPPO 发布了最新的旗舰手机 Find X8 X8 pro△=☆▼，主打轻薄直屏和影像旗舰△•○◁▪•，天玑 9400 处理器与潮汐 ▼=☆….△◆◆☆-■.●●▲■▲.
很好的设计学习资料◁▽▪▽，很实用☆•--，给实际的设计方案一定的参考价值△◆◇●□▷，TI提供的技术工程师的学习资料还是很好的▪■○◇◇◁。详细的介绍了Hercules的使用方法●•◆=☆！TI资料的学习资料在哪里呢楼主你的附件呢=•=•，你的链接呢■▲○▼◇•，楼主求更新●▲☆，求编辑你的帖子■•◇，□★…，附件添加不了可以求助我哦▪▼，我帮你解决◁-…■▷，嘻嘻对不起▼•，这就上传■◇▷•▽。资料▪◁◁•◇▼，对不起▪…▼◁▷，上一个是关于DSC的□■○◇■，这是是之前在网上看到的关于Hercules的资料•-▲○●△。学习资料谢谢楼主分享
由于人工智能（AI）需求激增-◆▼▼，存储半导体方面竞争进一步加剧▽▼☆△◇☆，预计三星电子下半年业绩将有所改善▷==△▲■。 据韩国《每日经济新闻》▼◇□，三星电子近期已向包括戴尔科技△…○、慧与 HPE 在内的主要客户通报了涨价计划▲■▲◆，准备在第三季度将其主要存储半导体●▼、服务器 DRAM 和企业级 NAND 闪存报价提高 15-20%▪…●◆▽○，而三星 Q2 已将其企业级 NAND 闪存涨价 20% 以上★…。 三星电子负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）今天在京畿道华城工厂召开了全球战略会议▼○，就这一计划进行了通报☆◁☆◆■■。 根据市场研究公司 D-RAM Exchange 的数据■◁▼●…，今年第一季度全球企业级 NAND 闪存销售额达到 37□○.58 亿美元（IT之家备注□▪◇△：当前约 273☆•.43 亿元人
